Группа специалистов из Японии смогла избавиться от физического напряжения, возникавшего в тонких металлических слоях на кремниевых кристаллах при разработке микросхем.
Из-за появления напряжения в кристаллах с течением времени образовывались трещины, которые в итоге приводили их в негодность. Для его снятия можно нагреть металл до определенной температуры, однако в случае использования тугоплавких материалов, кристалл может запросто испортиться по причине слишком сильного нагрева. Исследователи предложили новую более безопасную технологию.
Речь идет о магнетронном осаждении на кристалл после проведения распыления. Данный метод был известен и раньше, но ученым тогда не удавалось одновременно подавать импульс смещения и осуществлять напыление. Японцы же добились нужного результата, установив задержку для импульса в размере 60 микросекунд. В результате они снизили напряжение в пленке из вольфрама до рекордно низких 0,03 ГПа. Эта технология наверняка будет использована при разработке новейших микросхем.